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      麥科信MICSIG SigOFIT MOIP100P 光隔離探頭

      麥科信MICSIG SigOFIT MOIP100P 光隔離探頭

      簡要描述:麥科信MICSIG SigOFIT MOIP100P 光隔離探頭
      基于SigOFIT™ 技術的光隔離探頭,擁有共模抑制比和隔離電壓,在其帶寬范圍內洞見信號的全部真相,是判定其他 電壓探頭所測信號真實性的裁判。此外,SigOFIT光隔離探頭采用先進的激光供電技術,解決了隔離供電的問題。

      更新時間:2024-09-14

      產品型號: MOIP200P

      所屬分類:麥科信示波器

      訪問量:507

      詳細說明:

      麥科信MICSIG SigOFIT MOIP100P 光隔離探頭

      麥科信MICSIG SigOFIT MOIP系列光隔離探頭

      帶寬:DC-1GHz

      共模電壓: 85kVpk

      直流增益精度:1%

      共模抑制比:高達180dB

      產品概述:

      基于SigOFIT™ 技術的光隔離探頭,擁有共模抑制比和隔離電壓,在其帶寬范圍內洞見信號的全部真相,

      是判定其他 電壓探頭所測信號真實性的裁判。此外,SigOFIT光隔離探頭采用先進的激光供電技術,解決了隔離供電的問題。

      產品特點:

      最真實的信號呈現

      SigOFIT光隔離探頭具有共模抑制比,在100MHzCMRR高達128dB、在1GHzCMRR仍然高達108dB,是判定其他電壓探頭所測信號真實性的裁判。

      麥科信MICSIG SigOFIT MOIP100P 光隔離探頭

       

      測試精度與穩定性

      作為判定其他電壓探頭所測信號真實性的裁判,測試精度是SigOFIT光隔離探頭的重要指標。SigOFIT光隔離探頭,具有幅頻特性,直流增益精度優于1%,底噪小于0.45mVrms,預熱5min后零點漂移小于0.1%,增益漂移小于1%。

      麥科信MICSIG SigOFIT MOIP100P 光隔離探頭

       

      第三代半導體的最佳測試手段

      第三代半導體器件由于導通與關斷時間很短,信號具有更快的上升沿和下降沿,信號中具有很高能量的高頻諧波,SigOFIT光隔離探頭在最高帶寬時,仍然具有超100dB的共模抑制比,可以近乎地抑制高頻共模噪聲所產生的震蕩,所呈現的信號沒有額外多余成分。

      麥科信MICSIG SigOFIT MOIP100P 光隔離探頭

       

      測試氮化鎵(GaN)不炸管

      SigOFIT光隔離探頭測試引線短且采用同軸傳輸,探頭輸入電容最小僅1pF,測試氮化鎵(GaN)十分安全。

      麥科信MICSIG SigOFIT MOIP100P 光隔離探頭

       

      使用靈活,高效便捷

      SigOFIT光隔離探頭比傳統高壓差分探頭體積更小,探頭引線更精巧,使用更加靈活方便;探頭響應快,上電即測,校準時間小于1秒,校準時,無需斷開測試連接,可實時保證精確的信號輸出。

      麥科信MICSIG SigOFIT MOIP100P 光隔離探頭

       

      真正光隔離技術

      用激光傳輸信號+用激光傳輸電能(不用電池,電源更純凈),可365天不間斷測試。

      麥科信MICSIG SigOFIT MOIP100P 光隔離探頭

       

      測試量程更寬

      不同于高壓差分探頭只可以測試高壓信號,SigOFIT光隔離探頭通過匹配不同的衰減器,可以測試±0.01V±6250V的差模信號,并實現滿量程輸出,達到很高的信噪比。

      麥科信MICSIG SigOFIT MOIP100P 光隔離探頭

       

      應用場景

      對其他電壓探頭所測結果準確性、真實性存在質疑時,SigOFIT光隔離探頭可作為最終裁判依據。

      電源設備評估、電流并聯測量、EMI ESD 故障排除

      電機驅動設計、功率轉換器設計 、電子鎮流器設計

      氮化鎵、碳化硅、IGBT/全橋設備的設計與分析

      高壓高帶寬測試應用的安全隔離測試

      逆變器、UPS及開關電源的測試

      寬電壓、寬帶測試應用

      各種浮地測試

      麥科信MICSIG SigOFIT MOIP100P 光隔離探頭

       

      產品參數:

      產品型號

      MOIP100P

      MOIP200P

      MOIP350P

      MOIP500P

      MOIP800P

      MOIP1000P

          

      100MHz

      200MHz

      350MHz

      500MHz

      800MHz

      1GHz

      上升時間

      ≤3.5ns

      ≤1.75ns

      ≤1ns

      ≤700ps

      ≤438ps

      ≤350ps

      共模抑制比

      DC: 180dB

      100MHz: 128dB

      DC: 180dB

      200MHz: 122dB

      DC: 180dB

      350MHz: 118dB

      DC: 180dB

      500MHz: 114dB

      DC: 180dB

      800MHz: 110dB

      DC: 180dB

      1GHz: 108dB

      差模電壓

      ±6250V

      ±5000V

          

      <0.45mVrms

      <0.45mVrms

      直流增益精度

      1%

      共模電壓

      85kVpk

          

      通用BNC

       



      麥科信MICSIG SigOFIT MOIP100P 光隔離探頭



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